2025-04-27
GaN yongalarının sinyal bozuculardaki önemi aşağıdaki yönlerde yansıtılmaktadır:
- Yüksek güç kapasitesi: GaN, 3,4 eV'lik geniş bir bant aralığına sahiptir ve arıza alanı diğer RF yarı iletken teknolojilerinden 20 kat daha yüksektir. Bu, GaN tabanlı güç amplifikatörlerinin yüksek voltaj ve yüksek akım sinyallerini işlemesine olanak tanıyarak yüksek güçlü RF çıkışı sağlar. Örneğin, RCIED karşıtı ekipmanlarda, kablosuz tetikleme sinyallerini bozmak için yüksek güçlü sinyal bozucu sinyaller gerekir ve GaN yongaları bu gereksinimi karşılayabilir ve RCIED alıcılarının normal çalışmasına etkili bir şekilde müdahale edebilir. Ayrıca İHA karşıtı karıştırıcılarda, drone'ların belirli bir aralıktaki iletişim sinyallerini bastırmak için yüksek güç çıkışı gerekiyor ve GaN çipleri gerekli gücü sağlayabiliyor.
- Yüksek frekans yanıtı: GaN yongaları mükemmel yüksek frekans özelliklerine sahiptir ve geniş bir frekans aralığında çalışabilir. Karıştırıcıların genellikle farklı türdeki hedef sinyallerle başa çıkabilmek için birden fazla frekansı kapsaması gerekir. Örneğin bazı sinyal bozucuların drone sinyallerine müdahale edebilmesi için 4000-8000MHz frekans bandında çalışması gerekiyor. GaN tabanlı amplifikatörler, bu kadar yüksek frekans bandında yüksek kazanç ve yüksek verimli amplifikasyon elde edebilir, farklı sinyal frekanslarındaki ve modülasyon yöntemlerindeki değişikliklere hızlı bir şekilde uyum sağlayabilir ve gerçek zamanlı girişim elde edebilir.
- Yüksek verimlilik: GaN çipleri, direnci azaltabilen ve anahtarlama hızını artırabilen yüksek elektron hareketliliğine sahiptir, böylece çalışma sırasında güç kaybını azaltır, dönüşüm verimliliğini artırır ve ısı üretimini azaltır. Örneğin 50 watt'lık GaN çip tabanlı bir jammer modülünde verimlilik %45'e ve hatta daha yükseğe ulaşabiliyor. Yüksek verimlilik yalnızca enerji tasarrufuna yardımcı olmakla kalmaz, aynı zamanda jammer'ın uzun süre istikrarlı bir şekilde çalışmasını sağlar ve ekipmanın minyatürleştirilmesine ve taşınabilirliğine yardımcı olan jammer güç kaynağı sistemi ve ısı dağıtma sistemi gereksinimlerini azaltır.
- İyi termal iletkenlik: GaN, çip çalışırken üretilen ısının dağıtılmasına yardımcı olan iyi bir termal iletkenliğe sahiptir. Yüksek güçte çalışma sırasında, çip tarafından üretilen ısı, ısı dağıtma yapısı aracılığıyla hızlı bir şekilde dışarıya aktarılabilir, böylece performansın düşmesi veya aşırı ısınma nedeniyle çipin zarar görmesi sorunu önlenir. Örneğin, GaN çip tabanlı sinyal bozucu modülde kullanılan seramik tüp kabuk, ısı dağıtma etkisini önemli ölçüde iyileştirebilir ve modülün zorlu çevre koşulları altında stabil çalışmasını sağlayabilir.
GAN 50W Çember Korumalı Güç Amplifikatörü Modülü
- Güçlü anti-parazit yeteneği: GaN çipleri güçlü bir anti-parazit özelliğine sahiptir ve karmaşık elektromanyetik ortamlarda hala istikrarlı performansı koruyabilir. Karıştırıcıların çoğu zaman çeşitli parazit sinyalleriyle dolu bir ortamda çalışması gerekir. GaN çiplerinin mükemmel anti-parazit yeteneği, bozucuların parazit sinyallerini doğru bir şekilde üretebilmesini ve diğer parazit sinyallerinden etkilenmeden hedef sinyallere etkili bir şekilde müdahale edebilmesini sağlayabilir.